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Hanno superato i test di validazione di Intel alcuni sample (chip e moduli) di memorie RAM DDR3 prodotti da Hynix Semiconductor in tecnologia a 80nm. I componenti esaminati dal chip-maker americano, appartenenti alla categoria delle memorie DIMM SDRAM DDR3 Unbuffered e dotati di una capacitą di 1Gb, si differenziano per la frequenza di lavoro, essendo disponibili dei sample capaci di operare a 800MHz con profili di timing di 5-5-5 e 6-6-6 e a 1066Mhz, con timing 7-7-7.
Hynix darą il via alla produzione in volumi di queste memorie nella prossima estate: negli ultimi mesi dell'anno verrą inoltre attuato l'upgrade del processo tecnologico di fabbricazione, che passerą da 80nm a 66nm.
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