Samsung Electronics e SK Hynix stanno pianificando, per conto di NVIDIA, la produzione dei chip di memoria HBM (High Bandwidth Memory) di seconda generazione, tipicamente indicata anche con la denominazione più compatta di HBM2, secondo una tempistica coincidente con il primo trimestre del 2016. I chip di memoria HBM2, a proposito dei quali...

Con il comunicato stampa di seguito allegato, Hynix Semiconductor ha reso noto di aver avviato la produzione in volumi, mediante un processo in tecnologia a 20nm, di chip di memoria NAND Flash aventi una densità pari a 64 Gigabit (Gb). I nuovi chip sono ottenuti con l'ausilio di una tecnologia proprietaria, sviluppata lo scorso febbraio....

In base ai risultati di uno studio pubblicati dall'affidabile DRAMeXchange, nel panorama dei produttori di memorie basate sulla tecnologia NAND flash è in crescita la posizione di Micron, maker già in grado di farsi storicamente notare per importanza e volumi nell'ambito delle memorie DRAM. Nel primo trimestre dell'anno fiscale 2009, Micron può...

Hynix Semiconductor ha annunciato il completamento della fase di sviluppo di chip di memoria DRAM DDR3 fabbricati con un processo tecnologico a 40nm e caratterizzati da una densita di 1-gigabit (1Gb). I nuovi chip sono pienamente conformi con le specifiche delle DDR3 DRAM definite da Intel, per cui sono in attesa delle relativa certificazione da...

NVIDIA potrebbe avviare a breve una partnership con Hynix in base alla quale il produttore statunitense acquisterebbe dalla seconda i chip di memoria RAM - siglati HY5RS123235BFP ed aventi un tempo di risposta pari a 0.8ns - con cui equipaggiare le schede grafiche basate sulla gpu GeForce 9800 GTX. Se la notizia, proveniente dal canale non ufficiale...