Samsung Electronics ha annunciato di recente l'avvio della produzione in volumi, mediante un processo con geometria pari a 20nm, dei chip da 4GB di memoria DRAM High Bandwidth Memory di seconda generazione, o sinteticamente HBM2. In base alle informazioni e ai dati ufficiali, un chip di HBM2 da 4GB viene realizzato sovrapponendo verticalmente...

Samsung Electronics darà il via alla produzione in volumi dei chip di memoria DRAM con un processo di fabbricazione basato su una tecnologia proprietaria a 18nm nel corso del secondo trimestre del 2016. Lo si apprende da un report di Digital Times, una risorsa Web in lingua coreana segnalata dal sito taiwanese DigiTimes: in accordo alla...

Samsung ha reso noto di recente che ha avuto inizio la produzione in volumi dei primi chip di memoria DRAM di tipo LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) caratterizzati da una densità pari a 12Gb (gigabit). In accordo al maker coreano, non esistono competitor in grado di proporre la produzione di chip analoghi. Per la fabbricazione dei chip...

Micron Technology ha dato il via alle prime spedizioni dei suoi chip di memoria G-DDR5 realizzati con un processo di fabbricazione caratterizzato da una geometria a 20nm. Più in dettaglio, Micron, forte dell'acquisizione dell'azienda nipponica Elpida, noto produttore di DRAM G-DDR5 per video card, notebook e console, sta proponendo i chip di G-DDR5...

Samsung Electronics ha annunciato il completamento dello sviluppo del primo chip di DRAM di tipo LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) da 8Gb (gigabit) per applicazioni mobile. In accordo al produttore, il nuovo chip è realizzato con un processo di classe 20nm (tale, dunque, da utilizzare una tecnologia compresa nel range che va da 20nm a 30nm...