Con il comunicato stampa di seguito allegato, Intel Corporation ha annunciato una innovazione tecnologica destinata ad inaugurare una nuova era nel mondo dell'elettronica: il transistor 3D, denominato Tri-Gate. Più in dettaglio, la notizia non risiede tanto nella introduzione del dispositivo in se, dal momento che il suo sviluppo è stato completato dalla stessa Intel nel 2002, ma nel passaggio di questo in produzione.

Intel, infatti, si è detta pronta a supportare la produzione in volumi dei Tri-Gate, ottenuti con un processo di fabbricazione a 22nm: essi saranno alla base dei processori "Ivy Bridge", con i quali Intel rinnoverà la linea di cpu Core, attualmente basata sui chip "Sandy Bridge"; successivamente, la nuova tecnologia sarà estesa anche al mondo Atom. L'avvio della produzione degli "Ivy Bridge" avrà luogo alla fine del 2011; il lancio commerciale degli stessi si concretizzerà invece soltanto nel 2012.

I transistor a tre dimensioni Tri-Gate rappresentano una fondamentale evoluzione delle attuali soluzioni planari a due dimensioni, che da oltre 50 anni sono alla base di qualsiasi sistema elettronico, indipendentemente dall'ambito a cui questo è indirizzato, e che a loro volta hanno innescato una rivoluzione sostituendo le valvole; i Tri-Gate, infatti, hanno un punto di polarizzazione più basso di qualsiasi transistor attualmente sul mercato, pur offrendo prestazioni superiori.

In accordo alla stessa Intel, i transistor Tri-Gate a bassa polarizzazione offrono performance superiori del 37% rispetto ai transistor planari a 32nm prodotti dallo stesso maker (questa feature fa capire la naturale predisposizione per l'impiego dei Tri-Gate nell'ambito mobile, ndr); da un altro punto di vista, non meno significativo, i nuovi transistor 3D offrono le stesse prestazioni di quelli 2D, ma consumano la metà.