Samsung Electronics ha annunciato di aver ampliato il proprio catalogo relativamente alle memorie DRAM DDR5 con l'introduzione di moduli da 512GB fabbricati con la tecnologia High-K Metal Gate (HKMG).
In accordo al produttore, questo modulo può contare sulla dotazione di chip di memoria DRAM DDR5 in cui 8 layer, ciascuno dei quali implementa 16GB, sono interconnessi verticalmente mediante la tecnologia TSV (Through-Silicon Via).
I vantaggi offerti dai nuovi moduli non sono soltanto di tipo prestazionale - a tal proposito essi possono vantare un transfer rate massimo pari a 7.200Mbps, ed è questo un valore pari a più del doppio rispetto a quello ottenibile con le DDR4 - ma anche in relazione all'impatto ambientale.
Infatti, le nuove memorie di Samsung garantiscono un consumo di potenza inferiore di 13 punti percentali. Questa caratteristica, in aggiunta alle performance e alla capacità elevate, rendono tali componenti ideali per i data center.
In termini di ambiti applicativi, le DDR5 da 512GB sono indirizzate al supercomputing, e in particolare ai sistemi dedicati all'artificial intelligence (AI), al machine learning (ML) e al data analytics, e inoltre al networking.
Sample dei moduli DDR5 di Samsung sono stati già inviati ai clienti con finalità di testing e validazione.
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