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19.06.2009 - Micron lancia moduli di RAM DDR3 per notebook operanti a 1.35V |
Con il comunicato stampa di seguito allegato Micron Technology ha reso noto di aver commercializzato nuovi moduli di RAM DDR3 per sistemi di tipo notebook capaci di operare a una tensione molto bassa, pari a 1.35V, che, in quanto tali, risultano essere particolarmente ottimizzati per il risparmio energetico, aspetto quest'ultimo evidentemente critico in ambito mobile. In accoro a Micron, i moduli sono disponibili con una densità che può arrivare fino a 2GB; durante il prossimo autunno il chip maker realizzerà, invece, i primi sample da 4GB. Robert Feurle, VP della divisione Marketing per il mercato della RAM in Micron, afferma che £il consumo di potenza delle nuove DDR3 risulta essere stato ridotto, del 20%, rispetto a quello delle soluzioni a 1.5V.
Boise, Idaho, giovedì 18 giugno 2009 – Notebooks can now take advantage of optimized battery life and portability with a new line of low-voltage,
high-bandwidth DDR3 memory modules introduced today by Micron Technology, Inc. Offering an unparalleled combination of performance and efficiency for
notebook computers, Micron’s new modules are available in densities up to 2-gigabytes (GB) now, with 4GB samples coming this fall.
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